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          Nikalyte NL-Cube物理氣相沉積系統

          簡要描述:Nikalyte NL-Cube物理氣相沉積系統是一個緊湊且靈活的PVD(物理氣相沉積)系統,具備薄膜、納米顆粒和合金沉積能力。該系統有兩種型號:375型(最多可容納五個源,基底直徑可達四英寸)和300型(最多可容納四個源,基底直徑可達兩英寸)。由于其體積相對較小,真空腔體的抽真空速度較快,周轉時間約為30分鐘。

          • 產品型號:
          • 廠商性質:代理商
          • 更新時間:2025-01-26
          • 訪  問  量:733

          詳細介紹

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          Nikalyte NL-Cube物理氣相沉積系統是一個緊湊且靈活的PVD(物理氣相沉積)系統,具備薄膜、納米顆粒和合金沉積能力。該系統有兩種型號:375型(最多可容納五個源,基底直徑可達四英寸)和300型(最多可容納四個源,基底直徑可達兩英寸)。由于其體積相對較小,真空腔體的抽真空速度較快,周轉時間約為30分鐘。

          Nikalyte NL-Cube物理氣相沉積系統


          Nikalyte NL-Cube物理氣相沉積系統可兼容多種源,包括磁控濺射源、納米顆粒源、小型電子束源、熱舟源以及原子和離子源。系統可以配置為向上濺射或向下濺射模式。此外,還提供基底旋轉、偏壓以及最高可達800的加熱選項。

          真空腔體在英國制造,采用高質量的304不銹鋼材質,并配有輕質鋁制門。它安裝在一個系統機架上,該機架包含控制系統、電源和真空泵。整個系統配備輪子以便移動,并在定位后可鎖定腳部以固定位置。

          集成的PC和多功能Spectrum軟件提供了無縫的用戶體驗,使客戶能夠遠程控制該系統并運行復雜的工藝配方。

          Nikalyte NL-Cube物理氣相沉積系統


           

          關鍵特性:

          ·         可用的源包括磁控濺射源、納米粒子源、小型電子束源、熱舟蒸發源、原子源和離子源。

          ·         提供向上濺射或向下濺射配置。

          ·         提供旋轉、偏壓以及高達800℃的加熱選項。

          ·         周轉時間約為45分鐘。

          ·         真空度可達5×10??托。

          ·         系統機架包含控制系統、電源和泵。

          ·         集成的個人電腦配備Spectrum軟件,可實現自動化過程控制、復雜配方和數據記錄。

           

          The Cube系統配置:

          項目

          Cube    300

          Cube    375

          沉積腔尺寸

          300×300×300   mm

          375×375×375   mm

          基礎真空度

          <1×10??

          <5×10??

          濺射方向

          向下濺射/向上濺射

          向下濺射/向上濺射

          樣品臺

          2英寸晶圓,20/分鐘旋轉,射頻/直流偏壓和加熱至400℃

          4英寸晶圓,20/分鐘旋轉,射頻/直流偏壓和加熱至800℃

          抽真空系統

          80/秒渦輪分子泵配7.2立方米/小時干式前級泵

          300/秒渦輪分子泵配7.2立方米/小時干式前級泵

          閥門

          手動/自動閥門、快門、直線驅動和抽真空擋板閥

          手動/自動閥門、快門、直線驅動和抽真空擋板閥

          控制軟件

          配方驅動過程、電源控制和數據記錄

          配方驅動過程、電源控制和數據記錄

          原位監測

          石英晶體微量天平用于過程監測和終點檢測

          石英晶體微量天平用于過程監測和終點檢測

          源端口

          最多4個沉積源

          最多5個沉積源

          源類型

          納米粒子源、磁控濺射源、小型電子束蒸發源、熱舟蒸發源、K型離子源、射頻原子源

          納米粒子源、磁控濺射源、小型電子束蒸發源、熱舟蒸發源、K型離子源、射頻原子源

          涂層均勻性

          ±2%(樣品旋轉時)

           


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